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以高介电常数陶瓷多层电容器（MLCC），在加载直流偏置电压时，其容量会随偏置电压的增大而下降，这种特性成为直流品亚特性，或简称偏压特性。随着MLC向高容量迅速发展，介质厚度剧减，单位厚度的介质上承受的直流电压剧增，容量下降问题突出。在电路中若不能提供足够有效容量，就会导致比如储能能力下降或者阻抗增大去耦效果变差，所以偏压特性研究越来越受重视。
DC偏压特性
检测条件
1、检测参数：Cp、D
2、温度区间：RT~1000℃
3、频率范围：100Hz~30MHz
4、温度偏差：±1℃
5、偏压范围：0~±40V/±2KV
检测功能
检测样品在不同偏压下容量值
利用阻抗分析仪在一定测量幅值和频率下，通过加载一定时长的直流偏压，记录下材料的容值；
检测原理
1、试样两主平面全部被覆金属层作为电极
2、试样应保持清洁、干燥
样品要求
检测标准
1.《ASTM D150（美标）平行板电容法测试》
2. 廖庆文. MLCC直流偏压特性测试参数研究[J].
检测结果
具体数据结果将以图形和TXT文本形式呈现
检测压电陶瓷在强电场下的介电性能
强场介电性能
热释电晶体的自发极化强度Ps随温度T的变化而改变的现象
热释电系数
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